| GD80+C 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms???? UPHmax: 90K/h （實際產能取決于晶片與支架尺寸及制程工藝要求 | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1550（正面長）*1010.5(側面縱深)*2005(高度)mm? | ||||||||
| GD80+C 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥36ms???? UPHmax: 90K/h （實際產能取決于晶片與支架尺寸及制程工藝要求 | ||||||||
| 固晶位置精度 | ±25.4um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±3° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 3*3-60*60mil | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:100-170mm W:30-75mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1550（正面長）*1010.5(側面縱深)*2005(高度)mm? | ||||||||