| GD206 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms?? 精準模式：UPH4~6K/h ????????? 標準模式：UPH6~8K/h （實際產能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式：±10um 標準模式：±15um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 152.4*152.4 — 524*1524um | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L：120-200mm W：50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H) | 906（正面長）*1200(側面縱深)*2013(高度)mm | ||||||||
| GD206 全自動高速固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms?? 精準模式：UPH4~6K/h ????????? 標準模式：UPH6~8K/h （實際產能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式：±10um 標準模式：±15um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 152.4*152.4 — 524*1524um | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L：120-200mm W：50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H) | 906（正面長）*1200(側面縱深)*2013(高度)mm | ||||||||